当n型半导体与电解质接触时，广东格确半导体和电解质中的费米能级之间的差异促进电子从光电阳极转移到电解质，导致半导体表面处向上的能带弯曲。
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图3NCO-HS的结构表征A)NCO-HS和Co3O4-HS的XRD图谱，辆资内插为(220)和(311)面的局部放大。广东格确F)NCO-HS上缺陷部位的TEM图像。
佛山发布B)不同吸附剂的多硫化物吸附能力。同时，市南示精细的纳米结构提供了丰富的活性界面和更短的离子扩散路径以实现高效的硫的电化学行为。
